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三星更新技术路线图7nm2019年规模量产新增8nmLPU_[#第一枪]

发布时间:2021-06-07 12:24:40 阅读: 来源:电子表厂家

日前,三星在日本举办了三星铸造工厂论坛(SFF)2018年会,更新了技术路线图。

简单来说,主要有三点,一是基于EUV技术的7nm制程工艺会在接下来几个季度内大规模量产(初期EUV仅用于选择层),二是导入8nm LPU工艺,三是重申,围绕3nm节点,将引入闸极全环场效晶体管(Gate-all-aroundFET,GAAFET),来取代FinFET(鳍式场效应晶体管)。

三星晶圆厂分布

关于第一点,三星称已经在韩国华城的S3工厂配置了多台ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻机,投资6万亿韩元的新EUV产线预计2019年竣工,2020年扩大生产规模。

目前,官宣采用三星7nm LPP工艺的是高通骁龙5G SoC。

关于第二点,8nm LPU(low power ultimate)是8nm LPP的改良版,后者比10nm LPP减少10%的芯片面积和10%的功耗,看起来LPU将进一步在功耗、面积上做文章。

由于三星7nm LPP补充产能需要等到2020年,此间就是8nm在市场大展拳脚的契机。按照ZDNet的说法,高通也是三星8nm的客户。

至于第三点,三星将FinFET技术的极限发挥到5nm LPE和4nm LPP,计划2019年风险试产。不过到了3nm时代,芯片越做越小,电流信道宽度不断变窄,难以控制电流方向,三星提出了GAAFET方案,定于2020年早些时候试产。

另外,三星还表示,2019年,单芯片封装技术3D SiP将准备就绪。

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